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  • HCJDCS-A抗震好、高頻介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀
    HCJDCS-A抗震好、高頻介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀

    更新時(shí)間:2023-08-22

    型號(hào):HCJDCS-A

    瀏覽量:1039

    抗震好、高頻介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀: 高頻介損及介電常數(shù)測(cè)試儀能在較高的測(cè)試頻率條件下,測(cè)量高頻電感或諧振回路的Q值,電感器的電感量和分布電容量,電容器的電容量和損耗角正切值,電工材料的高頻介質(zhì)損耗,高頻回路有效并聯(lián)及串聯(lián)電阻,傳輸線的特性阻抗等。該儀器廣泛地用于科研機(jī)關(guān)、學(xué)校、工廠等單位。主要用于測(cè)量玻璃、陶瓷等材料在高頻信號(hào)下的介損、介電常數(shù)。
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  • HCJDCS-A高頻介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀、北京海淀區(qū)華測(cè)儀器
    HCJDCS-A高頻介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀、北京海淀區(qū)華測(cè)儀器

    更新時(shí)間:2023-08-22

    型號(hào):HCJDCS-A

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    高頻介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀、北京海淀區(qū)華測(cè)儀器: 高頻介損及介電常數(shù)測(cè)試儀能在較高的測(cè)試頻率條件下,測(cè)量高頻電感或諧振回路的Q值,電感器的電感量和分布電容量,電容器的電容量和損耗角正切值,電工材料的高頻介質(zhì)損耗,高頻回路有效并聯(lián)及串聯(lián)電阻,傳輸線的特性阻抗等。該儀器廣泛地用于科研機(jī)關(guān)、學(xué)校、工廠等單位。主要用于測(cè)量玻璃、陶瓷等材料在高頻信號(hào)下的介損、介電常數(shù)。
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  • HCJDCS-A高頻介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀
    HCJDCS-A高頻介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀

    更新時(shí)間:2023-08-22

    型號(hào):HCJDCS-A

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    高頻介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀能在較高的測(cè)試頻率條件下,測(cè)量高頻電感或諧振回路的Q值,電感器的電感量和分布電容量,電容器的電容量和損耗角正切值,電工材料的高頻介質(zhì)損耗,高頻回路有效并聯(lián)及串聯(lián)電阻,傳輸線的特性阻抗等。該儀器廣泛地用于科研機(jī)關(guān)、學(xué)校、工廠等單位。主要用于測(cè)量玻璃、陶瓷等材料在高頻信號(hào)下的介損、介電常數(shù)。
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  • Huace-991導(dǎo)電防靜電材料體積電阻率測(cè)試儀
    Huace-991導(dǎo)電防靜電材料體積電阻率測(cè)試儀

    更新時(shí)間:2024-08-30

    型號(hào):Huace-991

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    導(dǎo)電防靜電材料體積電阻率測(cè)試儀: 在測(cè)量導(dǎo)電材料電阻率若采用三電極或二電極測(cè)量時(shí)會(huì)因?yàn)殡姌O與被測(cè)量材料表面電阻而影響測(cè)量準(zhǔn)確性,本裝置采用四電極(四點(diǎn)探針或四探針)法測(cè)量導(dǎo)電和防靜電材料體積電阻率,可以克服表面接觸電阻造成的誤差影響。
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  • Huace-991導(dǎo)電塑料體積電阻率試驗(yàn)儀器
    Huace-991導(dǎo)電塑料體積電阻率試驗(yàn)儀器

    更新時(shí)間:2023-12-19

    型號(hào):Huace-991

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    導(dǎo)電塑料體積電阻率試驗(yàn)儀器: 在測(cè)量導(dǎo)電材料電阻率若采用三電極或二電極測(cè)量時(shí)會(huì)因?yàn)殡姌O與被測(cè)量材料表面電阻而影響測(cè)量準(zhǔn)確性,本裝置采用四電極(四點(diǎn)探針或四探針)法測(cè)量導(dǎo)電和防靜電材料體積電阻率,可以克服表面接觸電阻造成的誤差影響。
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  • 高溫四探針測(cè)量系統(tǒng)Huace-600測(cè)試儀器
    高溫四探針測(cè)量系統(tǒng)Huace-600測(cè)試儀器

    更新時(shí)間:2023-12-01

    型號(hào):

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    操控性好高溫四探針測(cè)量系統(tǒng)Huace-600測(cè)試儀器,該系統(tǒng)可以測(cè)量硅、鍺單晶(棒料、晶片)電阻率、測(cè)定硅外延層、擴(kuò)散層和離子注入層的方塊電阻 以及測(cè)量導(dǎo)電玻璃(ITO)和其它導(dǎo)電薄膜的方塊電阻,該設(shè)備按照單晶硅物理測(cè)試方法標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計(jì)的。
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  • 精度高高溫直流電阻率測(cè)試系統(tǒng)HCGR-12KV
    精度高高溫直流電阻率測(cè)試系統(tǒng)HCGR-12KV

    更新時(shí)間:2023-08-29

    型號(hào):

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    精度高高溫直流電阻率測(cè)試系統(tǒng)HCGR-12KV: 1、采用超低紋波系數(shù)高壓直流電源,保證測(cè)試電壓的穩(wěn)定度。 2、采用保障試驗(yàn)人員及試驗(yàn)設(shè)備的; 3、采用吉時(shí)利6585皮安表采集電流,采集精度高,量程自動(dòng)跟隨與切換,可以實(shí)時(shí)采集電壓、電流、電阻曲線; 4、具備升壓、恒壓等功能于一體,對(duì)于研究常溫與高溫下材料的電阻率極為方便
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  • 高溫直流電阻率測(cè)試系統(tǒng)HCGR-12KV-北京華測(cè)
    高溫直流電阻率測(cè)試系統(tǒng)HCGR-12KV-北京華測(cè)

    更新時(shí)間:2023-08-29

    型號(hào):

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    高溫直流電阻率測(cè)試系統(tǒng)HCGR-12KV-北京華測(cè)采集范圍: ●GB/T 10581-2006 絕緣材料在高溫下電阻和電阻率的試驗(yàn)方法 ●DL/T 810-2002 ±500kV直流棒形懸式復(fù)合絕緣子技術(shù)條件
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